Controlled etching of the SiC layer in TRISO coated particles using CF4 in a non-thermal plasma

Abstract

The fluorine radicals generated in a CF4 non-equilibrium RF plasma readily react with silicon carbide (SiC) forming volatile SiF4 and CF4. In a spouted-bed configuration this enables the complete removal of the SiC layer of TRISO coated particles in 14–15 h with excellent control of the process for analysis and quality control of the coatings. The process kinetics is mass transfer controlled.Die fluoorradikale wat in ’n nie-termiese CF4-radiofrekwensieplasma (glimontladingsplasma) opgewek word, reageer geredelik met silikoonkarbied (SiC) met die vorming van vlugtige SiF4 en CF4. In ’n spuitbedopstelling wat hier gebruik word, bewerkstellig dit binne 14 tot 15 h die volledige verwydering van die SiC-deklaag vanaf TRISO-partikels, met uitstekende beheer oor die proses vir analitiese en kwaliteitsbeheerdoeleindes. Die proseskinetika word deur massa-oordrag beheer.