Koen, ReinerVan der Walt, IsakJansen, Arnold AlexanderCrouse, Philippus L.2021-11-022021-11-022020-04-03Renier Koen, Izak J van der Walt, Arnold A Jansen, Philippus L Crouse, Controlled etching of the SiC layer in TRISO coated par􀆟 cles using CF4 in a non-thermal plasma, Suid-Afrikaanse Tydskrif vir Natuurwetenskap en Tegnologie 39(1) (2020). https://doi.org/10.36303/SATNT.2020.39.1.748.0254-3486 (print)2222-4173 (online)10.36303/ SATNT.2020.39.1.748http://hdl.handle.net/2263/82527The fluorine radicals generated in a CF4 non-equilibrium RF plasma readily react with silicon carbide (SiC) forming volatile SiF4 and CF4. In a spouted-bed configuration this enables the complete removal of the SiC layer of TRISO coated particles in 14–15 h with excellent control of the process for analysis and quality control of the coatings. The process kinetics is mass transfer controlled.Die fluoorradikale wat in ’n nie-termiese CF4-radiofrekwensieplasma (glimontladingsplasma) opgewek word, reageer geredelik met silikoonkarbied (SiC) met die vorming van vlugtige SiF4 en CF4. In ’n spuitbedopstelling wat hier gebruik word, bewerkstellig dit binne 14 tot 15 h die volledige verwydering van die SiC-deklaag vanaf TRISO-partikels, met uitstekende beheer oor die proses vir analitiese en kwaliteitsbeheerdoeleindes. Die proseskinetika word deur massa-oordrag beheer.en© 2020. Authors. Licensee: Die Suid- Afrikaanse Akademie vir Wetenskap en Kuns. This work is licensed under the Creative Commons Attribution License.EtchingSiC layerNon-thermal plasmaEtsingSiC-laagNie-termiese CF4 plasmaSilicon carbide (SiC)Silikoonkarbied (SiC)Article